To247 Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ON) -1.9milliohm Qg-144nc N-Channel Power Mosfet

 General DescriptionFSMOS®   MOSFET  is  based on Oriental Semiconductor's  unique device design to achieve  low RDS(ON) , low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. The high Vth series is specially designed to use in motor control systems with driving voltage of more than 10V .Features      Low RDS(ON) & FOM      Extremely low switching loss      Excellent reliability and uniformity      Fast switching and soft recoveryApplications      PD charger      Motor driver      Switching voltage regulator      DC-DC convertor      Switching mode power supplyKey Performance ParametersParameterValueUnitVDS80VID, pulse800ARDS(ON), max @ VGS =10V1.9mΩQg144nCAbsolute Maximum Ratings at Tj =25°C unless otherwise notedParameterSymbolValueUnitDrain-source voltageVDS80VGate-source voltageVGS±20VContinuous drain current1) , TC=25 °CID350APulsed drain current2) , TC=25 °CID, pulse800AContinuous diode forward current1) , TC=25 °CIS350ADiode pulsed current2) , TC=25 °CIS, pulse800APower dissipation3), TC=25 °CPD450WSingle pulsed avalanche energy4)EAS735mJOperation and storage temperatureTstg , Tj-55 to 175°CThermal CharacteristicsParameterSymbolValueUnitThermal resistance, junction-caseRθJC0.33°C/WThermal resistance, junction-ambientRθJA62°C/WElectrical Characteristics at Tj =25°C unless otherwise specifiedParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionDrain-source          breakdown voltageBVDSS80  VVGS =0 V, ID =250 μAGate thresholdvoltageVGS(th)2 4VVDS =VGS , ID =250 μADrain-sourceon-state resistanceRDS(ON) 1.51.9mΩVGS =10 V, ID=30 AGate-sourceleakage currentIGSS  100nAVGS =20 V  - 100VGS =-20 VDrain-sourceleakage currentIDSS  1μAVDS =80 V, VGS =0 VGate resistanceRG 1.2 Ωƒ=1 MHz, Open drainDynamic CharacteristicsParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionInput capacitanceCiss 11200 pFVGS =0 V,VDS =25 V,ƒ=100 kHzOutput capacitanceCoss 4880 pFReverse transfer capacitanceCrss 221 pFTurn-on delay timetd(on) 31 nsVGS =10 V,VDS =50 V,RG=2 Ω,ID=25 ARise timetr 26 nsTurn-off delay timetd(off) 75 nsFall timetf 28 nsGate Charge CharacteristicsParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionTotal gate chargeQg 144 nCVGS =10 V,VDS =50 V,ID=25 AGate-source chargeQgs 40 nCGate-drain chargeQgd 22 nCGate plateau voltageVplateau 3.8 VBody Diode CharacteristicsParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionDiode forward voltageVSD  1.3VIS=30 A,VGS =0 VReverse recovery timetrr 123 nsVR=50 V,IS=25 A,di/dt=100 A/μsReverse recovery chargeQrr 223 nCPeak reverse recovery currentIrrm 3.2 ANote1)    Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.2)    Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.3)    Pd is based on max. junction temperature, using junction-case thermal resistance.4)    VDD=50V,VGS=10 V, L=0.3 mH, starting Tj =25 °C.  Supply ChainGreen Product Declaration/* January 22, 2024 19:08:37 */!function(){function s(e,r){var a,o={};try{e&&e.split(",").forEach(function(e,t){e&&(a=e.match(/(.*?):(.*)$/))&&1