To247 Ost75n65hmf Vces-650V Pulse-300A N-Channel Power IGBT

Product Description General DescriptionOST75N65HMF uses advanced Oriental-Semi's patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology  to   provide   extremely   low  VCE(sat), low   gate   charge,   and   excellent   switching performance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters.Features      Advanced TGBTTM technology      Excellent conduction and switching loss      Excellent stability and uniformity      Fast and soft antiparallel diodeApplications      Induction converters      Uninterruptible power suppliesKey Performance ParametersParameterValueUnitVCES, min @ 25°C650VMaximum junction temperature175°CIC, pulse300AVCE(sat), typ @ VGE=15V1.6VQg180nCAbsolute Maximum Ratings at Tvj=25°C unless otherwise notedParameterSymbolValueUnitCollector emitter voltageVCES650VGate emitter voltageVGES±20VTransient gate emitter voltage, TP≤10µs, D